FDC638P - Mosfet P, 2.5V, 4.5A, 1.6W, 0.048 Ohm, SUPERSOT-6

FDC638P - Mosfet P, 2.5V, 4.5A, 1.6W, 0.048 Ohm, SUPERSOT-6

Transistor, Polaridad: Canal P
Intensidad Drenador Continua Id: 4.5A
Tensión Drenaje-Fuente Vds: 20V
Resistencia de Activación Rds(on): 45mohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on): 12V
Tensión Umbral Vgs: -800mV
Disipación de Potencia Pd: 1.6W
Diseño de Transistor: SuperSOT
Núm. de Contactos: 6
Temperatura de Trabajo Máx.: 150°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC): No SVHC (16-Dec-2013)
Corriente de Impulso Idm: 20A
Intensidad Id Max: -4.5A
Intensidad Temperatura: 25°C
Marcado SMD: FDC638P
Polaridad Uni / Bi Direccional: P
Rango de Temperatura de Trabajo: -55°C a +150°C
Temperatura a Plena Potencia: 25°C
Temperatura de Trabajo Mín.: -55°C
Tensión Vds: 20V
Tensión Vds Típ.: -20V
Tensión Vgs Máx.: -800mV
Tensión Vgs th Máx.: -1.5V
Tensión, Medida de Vgs Rds on: -4.5V
Tipo de Empaquetado: Cinta Precortada