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Disponível a partir de: 2014-06-17

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BSM25GD120DN2

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Descrição

BSM25GD120DN2 - IGBT MODULE, 1200V, ECONOPACK3

Transistor, Polaridad: Canal N
Corriente de Colector DC: 35A
Tensión Colector Emisor Vces: 3V
Disipación de Potencia Pd: 200W
Tensión Colector Emisor V(br)ceo: 1.2kV
Diseño de Transistor: EconoPACK
Núm. de Contactos: 17
Temperatura de Trabajo Máx.: 125°C
Configuración de Módulo: Seis
Corriente Pulsada Icm: 50A
Disipación de Potencia Máx.: 200W
Intensidad Ic Continua a Max: 25A
Intensidad Temperatura: 80°C
Núm. de Transistores: 6
Rango de Temperatura de Trabajo: -40°C a +125°C
Temperatura a Plena Potencia: 25°C
Temperatura de Trabajo Mín.: -40°C
Tensión Vce Sat Típ.: 2.5V
Tensión Vces: 1.2kV
Tipo de Terminación: Soldable

Dados do produto

Referência BSM25GD120DN2

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