STD60NF06T4 - MOSFET, N, D-PAK

MOSFET, N, D-PAK
Transistor, Polaridad: Canal N
Intensidad Drenador Continua Id: 60A
Tensión Drenaje-Fuente Vds: 60V
Resistencia de Activación Rds(on): 14mohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
Tensión Umbral Vgs: 4V
Disipación de Potencia Pd: 110W
Diseño de Transistor: TO-252
Núm. de Contactos: 3
Temperatura de Trabajo Máx.: 175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC): No SVHC (16-Dec-2013)
Anchura Externa: 6.8mm
Corriente de Impulso Idm: 240A
Intensidad Id Max: 60A
Longitud / Altura Externa: 2.55mm
Núm. de Transistores: 1
Profundidad Externa: 10.5mm
Rango de Temperatura de Trabajo: -55°C a +175°C
Temperatura de Trabajo Mín.: -55°C
Tensión Vds Típ.: 60V
Tensión Vgs Máx.: 20V
Tensión, Medida de Vgs Rds on: 10V
Tipo Alterno: D-PAK
Tipo de Empaquetado: Cinta Precortada