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FDS6681Z - Mosfet P, 30V, 20A, 0.0038R, SOIC8 - FDS6681Z
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FDS6681Z - Mosfet P, 30V, 20A, 2.5W, SOIC8 Transistor, Polaridad: Canal P Intensidad Drenador Continua Id: 20A Tensión Drenaje-Fuente Vds: -30V Resistencia de Activación Rds(on): 3.8mohm Tensión Vgs de Medición Rds(on): -10V Tensión Umbral Vgs: 1.8V Disipación de Potencia Pd: 2.5W Diseño de Transistor: SOIC Núm. de Contactos: 8 Temperatura de Trabajo Máx.: 150°C Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): MSL 1 - Ilimitado Intensidad Id Max: -20A Rango de Temperatura de Trabajo: -55°C a +150°C Temperatura de Trabajo Mín.: -55°C Tensión Vds Típ.: 30V Tensión Vgs Máx.: -1.8V Tensión, Medida de Vgs Rds on: 10V Tipo de Empaquetado: Cinta Precortada Tipo de Terminación: SMD
3,87 €
Com IVA
Disponível em armazém remoto 1-3 Dias
Disponível a partir de: 2014-06-25
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Referência:
FDS6681Z
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Descrição

FDS6681Z - Mosfet P, 30V, 20A, 2.5W, SOIC8

Transistor, Polaridad: Canal P
Intensidad Drenador Continua Id: 20A
Tensión Drenaje-Fuente Vds: -30V
Resistencia de Activación Rds(on): 3.8mohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on): -10V
Tensión Umbral Vgs: 1.8V
Disipación de Potencia Pd: 2.5W
Diseño de Transistor: SOIC
Núm. de Contactos: 8
Temperatura de Trabajo Máx.: 150°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): MSL 1 - Ilimitado
Intensidad Id Max: -20A
Rango de Temperatura de Trabajo: -55°C a +150°C
Temperatura de Trabajo Mín.: -55°C
Tensión Vds Típ.: 30V
Tensión Vgs Máx.: -1.8V
Tensión, Medida de Vgs Rds on: 10V
Tipo de Empaquetado: Cinta Precortada
Tipo de Terminación: SMD

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