NDS332 - Mosfet, P, SOT-23 20v 1a

MOSFET, P, SOT-23
Transistor, Polaridad: Canal P
Intensidad Drenador Continua Id: 1A
Tensión Drenaje-Fuente Vds: 20V
Resistencia de Activación Rds(on): 410mohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on): -4.5V
Tensión Umbral Vgs: -600mV
Disipaci??n de Potencia Pd: 500mW
Diseño de Transistor: SOT-23
Núm. de Contactos: 3
Temperatura de Trabajo Máx.: 150°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC): No SVHC (16-Dec-2013)
Anchura Externa: 3.05mm
Anchura de la Cinta: 8mm
Corriente de Impulso Idm: 10A
Intensidad Id Max: 1A
Intensidad Temperatura: 25°C
Longitud / Altura Externa: 1.12mm
Marcado SMD: 332
Núm. de Transistores: 1
Profundidad Externa: 2.5mm
Temperatura a Plena Potencia: 25°C
Temperatura de Trabajo Mín.: -55°C
Tensión Vds Típ.: -20V
Tensión Vgs Máx.: -600mV
Tensión Vgs th Máx.: -1V
Tensión, Medida de Vgs Rds on: -4.5V
Tipo de Empaquetado: Cinta Precortada