IRF540ZS - MOSFET, N, 100V, 36A, D2-PAK

IRF540ZS - MOSFET, N, 100V, 36A, D2-PAK

Transistor, Polaridad: Canal N
Intensidad Drenador Continua Id: 36A
Tensión Drenaje-Fuente Vds: 100V
Resistencia de Activación Rds(on): 26.5mohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
Tensión Umbral Vgs: 4V
Disipación de Potencia Pd: 92W
Diseño de Transistor: TO-263
Núm. de Contactos: 3
Temperatura de Trabajo Máx.: 175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): MSL 1 - Ilimitado
Corriente de Impulso Idm: 140A
Intensidad Id Max: 36A
Rango de Temperatura de Trabajo: -55°C a +175°C
Resistencia Térmica A, Unión-Cápsula: 1.64°C/W
Resistencia de Encendido @ Vgs = 10V: 26.5mohm
Temperatura de Trabajo Mín.: -55°C
Tensión Vds: 100V
Tensión Vds Típ.: 100V
Tensión Vgs Máx.: 4V
Tensión Vgs th Máx.: 4V
Tensión, Medida de Vgs Rds on: 10V
Tipo Alterno: D2-PAK