Clique para mais produtos.
Não foram encontrados produtos.
3SK51 - Mosfet N, 20V, 0.035A, 0.33W - 3SK51
3SK51 - Mosfet N, 20V, 0.035A, 0.33W - 3SK51

3SK51 - Mosfet N, 20V, 0.035A, 0.33W

Módulo De Transistor Igbt 600V 200A 700W
S-AV6 TOSHIBA RF POWER AMPLIFIER MODULE
3SK51 - Mosfet N, 20V, 0.035A, 0.33W Type of 3SK51 transistor: MOSFET Type of control channel: N -Channel Maximum power dissipation (Pd), W: 0.33 Maximum drain-source voltage |Uds|, V: 20 Maximum gate-source voltage |Ugs|, V: 7 Maximum drain current |Id|, A: 0.035 Maximum junction temperature (Tj), °C: 175 Rise Time of 3SK51 transistor (tr), nS: Drain-source Capacitance (Cd), pF: 20 Maximum drain-source on-state resistance (Rds), Ohm:
4,31 €
Com IVA
Em Stock
Disponível a partir de: 2014-01-03
Partilhar
Código QR
Referência:
3SK51
Favorito0
Adicionar à lista de desejos
Produtos relacionados
Sem items
Descrição

3SK51 - Mosfet N, 20V, 0.035A, 0.33W

Type of 3SK51 transistor: MOSFET
Type of control channel: N -Channel
Maximum power dissipation (Pd), W: 0.33
Maximum drain-source voltage |Uds|, V: 20
Maximum gate-source voltage |Ugs|, V: 7
Maximum drain current |Id|, A: 0.035
Maximum junction temperature (Tj), °C: 175
Rise Time of 3SK51 transistor (tr), nS:
Drain-source Capacitance (Cd), pF: 20
Maximum drain-source on-state resistance (Rds), Ohm:

Dados do produto
3SK51
Opiniões
Sem comentários
16 outros produtos na mesma categoria:
Clientes que compraram este produto também compraram:

Código QR

Opções

Clique para mais produtos.
Não foram encontrados produtos.

Por favor inicie sessão primeiro.

Iniciar Sessão

Crie uma conta gratuita para gravar produtos favoritos.

Iniciar Sessão

Criar uma conta gratuita para criar listas de desejos.

Iniciar Sessão