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GT25Q102 - IGBT, 1200V, TO-3P 25A 1700V - GT25Q102
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24,60 €
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Disponível a partir de: 2014-02-07
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GT25Q102
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Descrição

IGBT, 1200V, TO-3P(LH)
DC Collector Current: 25A
Collector Emitter Voltage Vces: 2.7V
Power Dissipation Pd: 200W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
Operating Temperature Min: -55°C
Operating Temperature Max: 150°C
Transistor Case Style: TO-3P
No. of Pins: 3
MSL: -
SVHC: No SVHC (20-Jun-2013)
Current Ic Continuous a Max: 25A
Fall Time Typ: 160ns
Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
Power Dissipation Max: 200W
Pulsed Current Icm: 50A
Rise Time: 100ns
Termination Type: Through Hole
Transistor Polarity: N Channel
Transistor Type: IGBT
Voltage Vces: 1.2kV

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