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INFINEON IGW25N120H3. IGBT,1200V,25A,TO247 - IGW25N120
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INFINEON IGW25N120H3. IGBT,1200V,25A,TO247

BDX33C - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, TO-220
IXFN55N50 - Mosfet N, 500V, 55A, 560W, SOT-227
Marca: Infineon Technologies Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1200 V Tensão de saturação do coletor - emissor: 2.7 V Tensão do emissor do gate máxima: +/- 20 V Corrente contínua do coletor a 25ºC: 50 A Corrente de dispersão do gat ...
12,05 €
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Disponível a partir de: 2015-07-07
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Referência:
IGW25N120
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Descrição

Marca: Infineon Technologies
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1200 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 2.7 V
Tensão do emissor do gate máxima: +/- 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 50 A
Corrente de dispersão do gate - emissor: 600 nA
Dissipação de energia: 326 W
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Embalagem: Tube
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Estilo de montagem: Through Hole

Dados do produto
IGW25N120
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