HFD5N50S - MOSFET N 500V 4A 48W 1.5R DPAK

HFD5N50S - MOSFET N 500V 4A 48W 1.5R DPAK Type Designator: HFD5N50S Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 48 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 500 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4.5 V Maximum Drain Current |Id|: 4 A Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C Total Gate Charge (Qg): 15.5 nC Rise Time (tr): 46 nS Drain-Source Capacitance (Cd): 86 pF Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 1.5 Ohm Package: D-PAK
4,00 €
Com IVA
Em Stock
Disponível a partir de: 2019-04-24
Referência:
HFD5N50S
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Descrição

HFD5N50S - MOSFET N 500V 4A 48W 1.5R DPAK

Type Designator: HFD5N50S
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 48 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 500 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4.5 V
Maximum Drain Current |Id|: 4 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Total Gate Charge (Qg): 15.5 nC
Rise Time (tr): 46 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 86 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 1.5 Ohm
Package: D-PAK

Dados do produto
HFD5N50S
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