MTW10N40E - Mosfet N 1000V 10A 1.3R TO247

MTW10N100E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor TO-247 with Isolated Mounting Hole TMOS POWER FET N?Channel Enhancement?Mode Silicon Gate 10 AMPERES 1000 VOLTS This high voltage MOSFET uses an advanced termination RDS(on) = 1.3 OHM
4,31 €
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Disponível a partir de: 2017-11-16
Referência:
MTW10N40E
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Descrição

MTW10N100E TMOS E-FET.
Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor TO-247 with Isolated Mounting Hole
TMOS POWER FET N?Channel Enhancement?Mode Silicon Gate 10 AMPERES 1000 VOLTS This high voltage MOSFET uses an advanced termination RDS(on) = 1.3 OHM

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MTW10N40E
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