SUM110P06-07L-E3 - Mosfet P, 60V, 110A, 0.007R, TO263

SUM110P06-07L-E3 - Mosfet P, 60V, 110A, 0.007R, TO263 Especificações Tipo de Canal P Corriente Máxima Continua de Drenaje 110 A Tensión Máxima Drenador-Fuente 60 V Tipo de Encapsulado D2PAK (TO-263) Tipo de Montaje Montaje superficial Conteo de Pines 3 Resistencia Máxima Drenador-Fuente 7 mO Modo de Canal Mejora Tensión de umbral de puerta mínima 1V Disipación de Potencia Máxima 3750 mW Configuración de transistor Simple Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V Número de Elementos por Chip 1 Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C Carga Típica de Puerta @ Vgs 230 nC a 10 V Ancho 9.65mm Material del transistor Si Longitud 10.41mm Altura 4.83mm Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C