FQA70N10 - MOSFET, N, 100V, 70A, 214W, TO-3P
Transistor, Polaridad: Canal N
Intensidad Drenador Continua Id: 70A
Tensión Drenaje-Fuente Vds: 100V
Resistencia de Activación Rds(on): 23mohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
Tensión Umbral Vgs: 4V
Disipación de Potencia Pd: 214W
Diseño de Transistor: TO-3P
Núm. de Contactos: 3
Temperatura de Trabajo Máx.: 175°C
Corriente de Impulso Idm: 280A
Intensidad Id Max: 70A
Rango de Temperatura de Trabajo: -55°C a +175°C
Temperatura de Trabajo Mín.: -55°C
Temperatura de la Unión Tj Máx.: 150??C
Temperatura de la Unión Tj Mín.: -55°C
Tensión Vds Típ.: 100V
Tensión Vgs Máx.: 25V
Tensión, Medida de Vgs Rds on: 10V