Mosfet N, 55V, 80A, 210W, 0.007 Ohm, TO220
SPP80N06S2L-07
Making: 2N06L07
Transistor, Polaridad: Canal N
Intensidad Drenador Continua Id: 80A
Tensión Drenaje-Fuente Vds: 60V
Resistencia de Activación Rds(on): 7mohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
Tensión Umbral Vgs: 1.6V
Disipación de Potencia Pd: 210W
Diseño de Transistor: TO-220AB
Núm. de Contactos: 3
Temperatura de Trabajo Máx.: 175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): -
Corriente de Impulso Idm: 320A
Intensidad Id Max: 80A
Intensidad Temperatura: 25°C
Rango de Temperatura de Trabajo: -55°C a +175°C
Temperatura a Plena Potencia: 25°C
Temperatura de Trabajo Mín.: -55°C
Tensión Vds: 55V
Tensión Vds Típ.: 55V
Tensión Vgs Máx.: 1.6V
Tensión Vgs th Máx.: 2V
Tensión, Medida de Vgs Rds on: 10V
Tipo de Terminación: Taladro Pasante