SI4431CDY-T1-GE3 - MOSFET,P CH,DIODE,30V,9A,8-SOIC

IRL510PBF - MOSFET, N, LOGIC, TO-220

TLV431CLPE3 - SHUNT REG ADJ +1.24/6V, TO92-3, 431

MOSFET,P CH,DIODE,30V,9A,8-SOIC Transistor, Polaridad: Canal P Intensidad Drenador Continua Id: -9A Tensión Drenaje-Fuente Vds: -30V Resistencia de Activación Rds(on): 0.026ohm Tensión Vgs de Medición Rds(on): -10V Tensión Umbral Vgs: -2.5V Disipación de Potencia Pd: 2.5W Diseño de Transistor: SOIC Núm. de Contactos: 8 Temperatura de Trabajo Máx.: 150°C Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): MSL 1 - Ilimitado Intensidad Id Max: -7A Rango de Temperatura de Trabajo: -55°C a +150°C Temperatura de Trabajo Mín.: -55°C Tensión Vgs Máx.: -20V Tipo de Empaquetado: Cinta Precortada

2,46 €

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Disponível em armazem remoto 1-3 Dias

Disponível a partir de: 2014-07-18

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SI4431

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MOSFET,P CH,DIODE,30V,9A,8-SOIC
Transistor, Polaridad: Canal P
Intensidad Drenador Continua Id: -9A
Tensión Drenaje-Fuente Vds: -30V
Resistencia de Activación Rds(on): 0.026ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on): -10V
Tensión Umbral Vgs: -2.5V
Disipación de Potencia Pd: 2.5W
Diseño de Transistor: SOIC
Núm. de Contactos: 8
Temperatura de Trabajo Máx.: 150°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): MSL 1 - Ilimitado
Intensidad Id Max: -7A
Rango de Temperatura de Trabajo: -55°C a +150°C
Temperatura de Trabajo Mín.: -55°C
Tensión Vgs Máx.: -20V
Tipo de Empaquetado: Cinta Precortada

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