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FQP13N10L - Mosfet N, 100V, 12.8A, 65W, 0.18 Ohm, TO220 - FQP13N10L
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FQP13N10L - Mosfet N, 100V, 12.8A, 65W, 0.18 Ohm, TO220

ESM5045DV - NPN DARLINGTON POWER MODULE
BC556 - Transistors Bipolar - BJT 100mA 80V PNP
Mosfet N, 100V, 12.8A, 65W, 0.18 Ohm, TO220Polaridade do transistor: N-Channel Tensão de ruptura do dreno - fonte: 100 V Tensão de ruptura do gate - fonte: +/- 20 V Corrente de dreno contínua: 12.8 A Fonte de drenagem na resistência: 180 mOhm ...
4,55 €
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Disponível a partir de: 2013-12-19
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Referência:
FQP13N10L
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Descrição

Mosfet N, 100V, 12.8A, 65W, 0.18 Ohm, TO220

Polaridade do transistor: N-Channel
Tensão de ruptura do dreno - fonte: 100 V
Tensão de ruptura do gate - fonte: +/- 20 V
Corrente de dreno contínua: 12.8 A
Fonte de drenagem na resistência: 180 mOhms
Configuração: Single
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa / Gabinete: TO-220AB
Embalagem: Tube
Tempo de queda: 72 ns
Transcondutância em avanço - Mín: 9.5 S
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Dissipação de energia: 65 W
Tempo de ascensão: 220 ns
Série: FQP13N10L
Quantidade do pacote de fábrica: 50
Tempo de retardo de desligamento típico: 22 ns

Dados do produto
FQP13N10L
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