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IPB180N06S4H1ATMA2 - MOSFET, N-CH, 60V, 180A, 0.0013Ohm,263 - IPB180N06S4
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IPB180N06S4H1ATMA2 - MOSFET, N-CH, 60V, 180A, 0.0013Ohm,263 Informação do produto Channel Type: N Channel Drain Source Voltage Vds: 60V Continuous Drain Current Id: 180A Drain Source On State Resistance: 0.0013ohm Transistor Case Style: TO-263 (D2PAK) Transistor Mounting: Surface Mount Rds(on) Test Voltage: 10V Gate Source Threshold Voltage Max: 3V Power Dissipation: 250W No. of Pins: 7Pins Operating Temperature Max: 175°C Product Range: OptiMOS T2
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IPB180N06S4
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IPB180N06S4H1ATMA2 - MOSFET, N-CH, 60V, 180A, 0.0013Ohm,263

Informação do produto

Channel Type:
N Channel
Drain Source Voltage Vds:
60V
Continuous Drain Current Id:
180A
Drain Source On State Resistance:
0.0013ohm
Transistor Case Style:
TO-263 (D2PAK)
Transistor Mounting:
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage:
10V
Gate Source Threshold Voltage Max:
3V
Power Dissipation:
250W
No. of Pins:
7Pins
Operating Temperature Max:
175°C
Product Range:
OptiMOS T2

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IPB180N06S4
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