MMBT5551 - TRANSISTOR,NPN,160V,0.6A,SOT23

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MMBT5551 TRANSISTOR,NPN,160V,0.6A,SOT23 Transistor Polarity: NPN Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 160V Transition Frequency ft: 100MHz Power Dissipation Pd: 350mW DC Collector Current: 600mA DC Current Gain hFE: 250 Transistor Case Style: SOT-23 No. of Pins: 3 Operating Temperature Max: 150°C MSL: MSL 1 - Unlimited SVHC: No SVHC (16-Jun-2014) Continuous Collector Current Ic: 600mA Current Ic hFE: 250mA DC Current Gain Max (hfe): 250 Gain Bandwidth ft Typ: 300MHz Hfe Min: 80 Noise Figure Typ: 8dB Operating Temperature Min: -55°C Packaging: Cut Tape Power Dissipation Ptot Max: 350mW RF Transistor Case: SOT-23 Termination Type: SMD Test Frequency: 15.7kHz

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Disponível a partir de: 2014-09-17

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MMBT5551

TRANSISTOR,NPN,160V,0.6A,SOT23
Transistor Polarity: NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 160V
Transition Frequency ft: 100MHz
Power Dissipation Pd: 350mW
DC Collector Current: 600mA
DC Current Gain hFE: 250
Transistor Case Style: SOT-23
No. of Pins: 3
Operating Temperature Max: 150°C
MSL: MSL 1 - Unlimited
SVHC: No SVHC (16-Jun-2014)
Continuous Collector Current Ic: 600mA
Current Ic hFE: 250mA
DC Current Gain Max (hfe): 250
Gain Bandwidth ft Typ: 300MHz
Hfe Min: 80
Noise Figure Typ: 8dB
Operating Temperature Min: -55°C
Packaging: Cut Tape
Power Dissipation Ptot Max: 350mW
RF Transistor Case: SOT-23
Termination Type: SMD
Test Frequency: 15.7kHz

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