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RJP63F3 - Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching - RJP63F3
RJP63F3 - Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching - RJP63F3

RJP63F3 - Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

BU111 - Silicon NPN Power Transistor TO-3
FDS6984AS - Mosfet DUAL NN, 30V, 2W, SO8
Trench gate and thin wafer technology (G6H series) Low collector to emitter saturation voltage V CE(sat)= 1.7 V typ High speed switching tf = 100 ns typ Low leak current ICES= 1A max Isolated package TO-220FL
9,23 €
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Disponível a partir de: 2018-09-24
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RJP63F3
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Descrição

Trench gate and thin wafer technology (G6H series)
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)= 1.7 V typ
High speed switching tf = 100 ns typ
Low leak current ICES= 1A max
Isolated package TO-220FL

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RJP63F3
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