GT45F122 - IGBT N, 300V, 200A

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GT45F122 - IGBT TOSHIBA 300V 200A Breakdown Voltage VCES (V) @Ta = 25?C = 300V IGBT Current Rating IC (A) @Ta = 25?C : 200A Insulated Gate Bipolar Transistor Substitute: GT45F123 Case Style: TO220SIS

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Disponível a partir de: 2018-09-24

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GT45F122

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GT45F122 - IGBT TOSHIBA 300V 200A

Breakdown Voltage VCES (V) @Ta = 25?C = 300V
IGBT Current Rating IC (A) @Ta = 25?C : 200A
Insulated Gate Bipolar Transistor
Substitute: GT45F123
Case Style: TO220SIS

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Referência GT45F122

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