FDD8880 - Mosfet N, 30V, 58A, 55W, 0.009 Ohm, D-PAK

FDD8880 - Mosfet N, 30V, 58A, 55W, 0.009 Ohm, D-PAK Polaridade do transistor: N-Channel Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30 V Vgs - Tensão de ruptura porta e fonte: 20 V Id - Corrente de drenagem contínua: 58 A Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 9 mOhms Configuração: Single Temperatura operacional máxima: + 175 C Pd - Dissipação de potência: 55 W Estilo de montagem: SMD/SMT Caixa / Gabinete: DPAK-2 Embalagem: Reel Marca: Fairchild Semiconductor Modo de canal: Enhancement Tempo de queda: 32 ns Temperatura operacional mínima: - 55 C Tempo de ascensão: 91 ns Série: FDD8880 Quantidade do pacote de fábrica: 2500 Tempo de retardo de desligamento típico: 38 ns Aliases de núm de peça: FDD8880_NL