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STFW4N150MOSFET, N CH, 1500 V, 4A, TO3PFTransistor, Polaridad: Canal NIntensidad Drenador Continua Id: 4ATensión Drenaje-Fuente Vds: 1.5kVResistencia de Activación Rds(on): 5ohmTensión Vgs de Medición Rds(on): 10VTensión Umbral Vgs: 4VDisipación de Po ...

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Disponível a partir de: 2014-06-27

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STFW4N150

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STFW4N150

MOSFET, N CH, 1500 V, 4A, TO3PF
Transistor, Polaridad: Canal N
Intensidad Drenador Continua Id: 4A
Tensión Drenaje-Fuente Vds: 1.5kV
Resistencia de Activación Rds(on): 5ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
Tensión Umbral Vgs: 4V
Disipación de Potencia Pd: 63W
Diseño de Transistor: TO-3PF
Núm. de Contactos: 3
Temperatura de Trabajo Máx.: 150°C

Dados do produto

Referência STFW4N150

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