FDS8858CZ - Mosfet DUAL NP, 30V, 2W, SOIC8

FDS8858CZ - Mosfet DUAL NP, 30V, 2W, SOIC8

Transistor, Polaridad: Canal N y P
Intensidad Drenador Continua Id: 8.6A
Tensión Drenaje-Fuente Vds: 30V
Resistencia de Activación Rds(on): 17mohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
Tensión Umbral Vgs: 1.6V
Disipación de Potencia Pd: 2W
Diseño de Transistor: SOIC
Núm. de Contactos: 8
Temperatura de Trabajo Máx.: 150°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC): No SVHC (16-Dec-2013)
Corriente de Impulso Idm Canal N 2: 20A
Corriente de Impulso Idm Canal P: 20A
Intensidad Cont Id Canal 2 N: 8.6A
Intensidad Cont Id Canal P: 7.3A
Intensidad Id Max: 8.6A
Núm. de Transistores: 2
Rango de Temperatura de Trabajo: -55°C a +150°C
Resistencia de Encendido Canal P Máx.: 20.5mohm
Resistencia en Encendido Canal N Máx.: 17mohm
Temperatura de Trabajo Mín.: -55°C
Tensión Vds Típ.: 30V
Tensión Vgs Máx.: 1.6V
Tensión, Medida de Vgs Rds on: 10V
Tipo de Empaquetado: Cinta Precortada
Tipo de Terminación: SMD