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Transistor Npn 10A 175W 500V - MJ10012
Transistor Npn 10A 175W 500V - MJ10012

Transistor Npn 10A 175W 500V

IRF7319 - Dual Mosfet N/P, 30V, 6.5A, 0.029R, Soic8
TRANSISTOR Transistor, Polaridad: NPN Tensión Colector Emisor V(br)ceo: 500V Disipación de Potencia Pd: 175W Corriente de Colector DC: 10A Ganancia de Corriente DC hFE: 300 Diseño de Transistor: TO-3 Núm. de Contactos: 2 Temperatura de Trabajo Máx.: 200°C Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): - Hfe Mín.: 30 Intensidad Ic Continua a Max: 20A Rango de Temperatura de Trabajo: -65°C a +200°C Temperatura de Trabajo Mín.: -65°C Tensión Colector Emisor Vces: 3.5V Tipo de Terminación: Taladro Pasante
12,30 €
Com IVA
Em Stock
Disponível a partir de: 2014-06-06
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Referência:
MJ10012
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Descrição

TRANSISTOR
Transistor, Polaridad: NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo: 500V
Disipación de Potencia Pd: 175W
Corriente de Colector DC: 10A
Ganancia de Corriente DC hFE: 300
Diseño de Transistor: TO-3
Núm. de Contactos: 2
Temperatura de Trabajo Máx.: 200°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): -
Hfe Mín.: 30
Intensidad Ic Continua a Max: 20A
Rango de Temperatura de Trabajo: -65°C a +200°C
Temperatura de Trabajo Mín.: -65°C
Tensión Colector Emisor Vces: 3.5V
Tipo de Terminación: Taladro Pasante

Dados do produto
MJ10012
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