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MMBTH10LT1G - Transistor N 30V 0.004A 0.225W SOT-23 - MMBTH10LT1G
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MMBTH10LT1G - Transistor N 30V 0.004A 0.225W SOT-23

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MMBTH10LT1G - Transistor N 30V 0.004A 0.225W SOT-23 Type Designator: MMBTH10LT1G SMD Transistor Code: 3EM. Material of Transistor: Si Polarity: NPN Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 0.225 W Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 30 V Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 25 V Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 3 V Maximum Collector Current |Ic max|: 0.004 A Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C Transition Frequency (ft): 650 MHz Collector Capacitance (Cc): 0.7 pF Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 120 Noise Figure, dB: - Package: SOT-23
0,31 €
Com IVA
Em Stock
Disponível a partir de: 2019-11-12
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MMBTH10LT1G
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Descrição

MMBTH10LT1G - Transistor N 30V 0.004A 0.225W SOT-23

Type Designator: MMBTH10LT1G
SMD Transistor Code: 3EM.
Material of Transistor: Si
Polarity: NPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 0.225 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 30 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 25 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 3 V
Maximum Collector Current |Ic max|: 0.004 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C
Transition Frequency (ft): 650 MHz
Collector Capacitance (Cc): 0.7 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 120
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