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GT60N321 - IGBT Transistors IGBT 1000V 60A IGBT - GT60N321
GT60N321 - IGBT Transistors IGBT 1000V 60A IGBT - GT60N321

GT60N321 - IGBT Transistors IGBT 1000V 60A IGBT

GT30J322 - Transistor 3TO-3PNIS, Single, 600 V, 30 A
N-channel Silicon Power Mos-fet
Configuração: Single. Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1000 V Tensão do emissor do gate máxima: +/- 25 V Temperatura operacional máxima: + 150 C Caixa / Gabinete: TO-3P Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 60 A Temperatura operacional mínima: - 55 C Estilo de montagem: Through Hole
15,99 €
Com IVA
Em Stock
Disponível a partir de: 2014-11-20
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Referência:
GT60N321
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Descrição

Configuração: Single.
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1000 V
Tensão do emissor do gate máxima: +/- 25 V
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Caixa / Gabinete: TO-3P
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 60 A
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Estilo de montagem: Through Hole

Dados do produto
GT60N321
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