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IXBH9N160G - IGBT 1600V 5A 100W TO247-3 Fabricante IXYS Tipo de transístor IGBT Tecnologia BiMOSFET™ Tensão coletor-emissor 1.6kV Corrente do coletor 5A Potência dissipada 100W Carcaça TO247-3 Tensão porta - emissor ±20V Corrente do coletor no impulso 10A Montagem THT Carga da porta 34nC Espécie de embalagem tubo Tempo de ligação 340ns Tempo de desligar 190ns Propriedades de dispositivos semicondutores de alta tensão

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IXBH9N160G - IGBT 1600V 5A 100W TO247-3

Fabricante IXYS
Tipo de transístor IGBT
Tecnologia BiMOSFET™
Tensão coletor-emissor 1.6kV
Corrente do coletor 5A
Potência dissipada 100W
Carcaça TO247-3
Tensão porta - emissor ±20V
Corrente do coletor no impulso 10A
Montagem THT
Carga da porta 34nC
Espécie de embalagem tubo
Tempo de ligação 340ns
Tempo de desligar 190ns
Propriedades de dispositivos semicondutores de alta tensão

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