FQD13N10LTM - Mosfet N, 100V, 6.3A, 40W, 200mR, DPACK

Marca:

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FQD13N10LTM - Mosfet N, 100V, 6.3A, 40W, 200mR, DPACK Tipo de transístor N-MOSFET Tecnologia QFET® Polarização unipolar Tensão dreno-fonte 100V Corrente de dreno 6.3A Potência dissipada 40W Carcaça DPAK Tensão porta-fonte ±20V Resistência no estado de condução 200mO Montagem SMD Carga da porta 12nC Espécie de embalagem fita, rolo

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Disponível a partir de: 2019-08-12

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FQD13N10

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FQD13N10LTM - Mosfet N, 100V, 6.3A, 40W, 200mR, DPACK

Tipo de transístor N-MOSFET
Tecnologia QFET®
Polarização unipolar
Tensão dreno-fonte 100V
Corrente de dreno 6.3A
Potência dissipada 40W
Carcaça DPAK
Tensão porta-fonte ±20V
Resistência no estado de condução 200mO
Montagem SMD
Carga da porta 12nC
Espécie de embalagem fita, rolo

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Referência FQD13N10

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