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FDA50N50 - MOSFET N 500V 48A 625W 0.105 R TO3P - FDA50N50
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FDA50N50 - MOSFET N 500V 48A 625W 0.105 R TO3PN Type Designator: FDA50N50 Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 625 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 500 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 5 V Maximum Drain Current |Id|: 48 A Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C Total Gate Charge (Qg): 105 nC Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.105 Ohm Package: TO3PN
8,00 €
Com IVA
Sem Stock
Disponível a partir de: 2019-04-08
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FDA50N50
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Descrição

FDA50N50 - MOSFET N 500V 48A 625W 0.105 R TO3PN

Type Designator: FDA50N50

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 625 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 500 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 5 V

Maximum Drain Current |Id|: 48 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C

Total Gate Charge (Qg): 105 nC

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.105 Ohm

Package: TO3PN

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FDA50N50
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