TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNELT

J174 - Transistor Mosfet P 30V 20mA TO-92

MJE15029: 8.0 A, 120 V PNP Bipolar Power Transistor

Enhancement mode .. High speed: tf = 0.19 µs (typ.) (IC = 50 A) .. Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.9 V (typ.) (IC = 50 A) .. FRD included between emitter and collector .. Toshiba package name: TO-3P(N)IS

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Disponível a partir de: 2018-09-26

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GT35J321

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Enhancement mode
.. High speed: tf = 0.19 µs (typ.) (IC = 50 A)
.. Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.9 V (typ.) (IC = 50 A)
.. FRD included between emitter and collector
.. Toshiba package name: TO-3P(N)IS

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