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50N322A - Transistor IGBT TOSHIBA - GT50N322
50N322A - Transistor IGBT TOSHIBA - GT50N322

50N322A - Transistor IGBT TOSHIBA

BU808DFX - Fast-Switching Npn Power Darlington 8a 1400v
MN2488 - Transistor Darlington, NPN; 160V; 10A; 150W
FRD included between emitter and collector • Enhancement mode type • High speed IGBT : tf = 0.10 ìs (typ.) (IC = 60 A) FRD : trr = 0.8 ìs (typ.) (di/dt = .20 A/ìs) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.2 V (typ.) (IC = 60 A)
13,53 €
Com IVA
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Disponível a partir de: 2018-09-27
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Referência:
GT50N322
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Descrição

FRD included between emitter and collector
• Enhancement mode type
• High speed IGBT : tf = 0.10 ìs (typ.) (IC = 60 A)
FRD : trr = 0.8 ìs (typ.) (di/dt = .20 A/ìs)
• Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.2 V (typ.) (IC = 60 A)

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GT50N322
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