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Disponível a partir de: 2013-10-25

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STP9NB50

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Descrição

Polaridade do transistor:N-Channel
Tensão de ruptura do dreno - fonte:500 V
Tensão de ruptura do gate - fonte:+/- 30 V
Corrente de dreno contínua:8.6 A
Drain-Source On Resistance:850 mOhms
Configuração:Single
Temperatura operacional máxima:+ 150 C
Estilo de montagem:Through Hole
Caixa / Gabinete:TO-220
Embalagem:Tube
Tempo de queda:11 ns
Temperatura operacional mínima:- 65 C
Dissipação de energia:125 W
Tempo de ascensão:11 ns

Dados do produto

Referência STP9NB50

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