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IRFS830 - MOS-N-FET V-MOS 500V,3A, 35W, TO220 - IRFS830
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IRFS830 - MOS-N-FET V-MOS 500V,3A, 35W, TO220

MJ2955 - Transistor PNP, 60V, 15A,115W, TO3
STP9NB50FP - Mosfet N, 500V, 4.9A, 40W, 0.85 Ohm, TO-220FP
Type Designator: IRFS830Type of IRFS830 transistor: MOSFETType of control channel: N -ChannelMaximum power dissipation (Pd), W: 35Maximum drain-source voltage |Uds|, V: 500Maximum gate-source voltage |Ugs|, V:Maximum drain current |Id|, A: 4.5Maximum ...
2,46 €
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Em Stock
Disponível a partir de: 2013-10-25
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Referência:
IRFS830
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Descrição

Type Designator: IRFS830

Type of IRFS830 transistor: MOSFET

Type of control channel: N -Channel

Maximum power dissipation (Pd), W: 35

Maximum drain-source voltage |Uds|, V: 500

Maximum gate-source voltage |Ugs|, V:

Maximum drain current |Id|, A: 4.5

Maximum junction temperature (Tj), °C: 150

Rise Time of IRFS830 transistor (tr), nS:

Drain-source Capacitance (Cd), pF:

Maximum drain-source on-state resistance (Rds), Ohm:

Package: TO220

Dados do produto
IRFS830
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