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IRF2805PBF - MOSFET, N-CH, 55V, 75A, 330W, 0.0047Ohm, TO220 Type Designator: IRF2805PBF Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 330 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 55 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V Maximum Drain Current |Id|: 75 A Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C Total Gate Charge (Qg): 150 nC Rise Time (tr): 120 nS Drain-Source Capacitance (Cd): 1190 pF Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.0047 Ohm Package: TO-220AB

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IRF2805PBF - MOSFET, N-CH, 55V, 75A, 330W, 0.0047Ohm, TO220

Type Designator: IRF2805PBF
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 330 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 55 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Current |Id|: 75 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C
Total Gate Charge (Qg): 150 nC
Rise Time (tr): 120 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 1190 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.0047 Ohm
Package: TO-220AB

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