Tipo de transistor: Bipolar
Tecnologia: Silicon
Polaridade do transistor: NPN
Frequência: 8000 MHz
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 70
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor:12 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 2 V
Tensão do coletor contínua: 0.035 A
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Configuração: Single
Dissipação de energia: 250 mW
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: SOT-23
Embalagem: Reel
Corrente do coletor DC máxima: 0.035 A
Temperatura operacional mínima: - 65 C