TPC8111-H - Mosfet P-Ch 30V 11A Rdson = 0.012Ohm, SOIC8

TPC8111-H - Mosfet P-Ch 30V 11A Rdson = 0.012Ohm, SOIC8

Fabricante:Toshib
Categoria de produto:MOSFET
Tecnologia:Si
Estilo de montagem:SMD/SMT
Caixa / Gabinete:SOP-8
Número de canais:1 Channel
Polaridade do transistor:P-Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:- 30 V
Id - Corrente de drenagem contínua:- 11 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência:12 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:20 V
Temperatura operacional mínima:- 55 C
Temperatura operacional máxima:+ 150 C
Configuração:Single Quad Drain Triple Source
Pd - Dissipação de potência:1.9 W
Modo de canal:Enhancement
Altura:1.68 mm
Comprimento:4.9 mm
Produto:MOSFET Small Signal
Série:TPC8111
Tipo de transistor:1 P-Channel
Largura:3.9 mm
Marca:Toshiba
Tempo de queda:109 ns
Tipo de Produto:MOSFET
Tempo de ascensão:18 ns
Subcategoria:MOSFETs
Peso unitário:851 mg