FDN360P - Mosfet P, 30V, 2A, 0.5W, 0.08 Ohm, SOT-23

FDN360P - Mosfet P, 30V, 2A, 0.5W, 0.08 Ohm, SOT-23

Transistor, Polaridad: Canal P
Intensidad Drenador Continua Id: 2A
Tensión Drenaje-Fuente Vds: 30V
Resistencia de Activación Rds(on): 80mohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on): -10V
Tensión Umbral Vgs: -1.9V
Disipación de Potencia Pd: 500mW
Diseño de Transistor: SOT-23
Núm. de Contactos: 3
Temperatura de Trabajo Máx.: 150°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): MSL 1 - Ilimitado
Anchura Externa: 3.05mm
Anchura de la Cinta: 8mm
Corriente de Impulso Idm: 20A
Intensidad Id Max: 2A
Intensidad Temperatura: 25°C
Longitud / Altura Externa: 1.12mm
Marca del Dispositivo: FDN360P
Marcado SMD: 360
Profundidad Externa: 2.5mm
Rango de Temperatura de Trabajo: -55°C a +150°C
Temperatura a Plena Potencia: 25°C
Temperatura de Trabajo Mín.: -55°C
Tensión Vds: 30V
Tensión Vds Típ.: -30V
Tensión Vgs Máx.: 20V
Tensión Vgs th Máx.: -3V
Tensión, Medida de Vgs Rds on: -10V