IRFB11N50A - Mosfet N, 500V, 11A, 170W, 0.52 Ohm, TO220

Mosfet N, 500V, 11A, 170W, 0.52 Ohm, TO220

Transistor, Polaridad: Canal N
Intensidad Drenador Continua Id: 11A
Tensión Drenaje-Fuente Vds: 500V
Resistencia de Activación Rds(on): 520mohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
Tensión Umbral Vgs: 4V
Disipación de Potencia Pd: 170W
Diseño de Transistor: TO-220AB
Núm. de Contactos: 3
Temperatura de Trabajo Máx.: 150°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): -
Corriente de Impulso Idm: 44A
Intensidad Id Max: 11A
Intensidad Temperatura: 25°C
Núm. de Transistores: 1
Resistencia Térmica A, Unión-Cápsula: 0.75°C/W
Temperatura a Plena Potencia: 25°C
Temperatura de Trabajo Mín.: -55°C
Tensión Vds Típ.: 500V
Tensión Vgs Máx.: 30V
Tensión Vgs th Máx.: 4V
Tensión, Medida de Vgs Rds on: 10V
Tipo de Terminación: Taladro Pasante