FQA11N90 - Transistor N-Channel 900V, 11.4A, 300W

FQA11N90 - Transistor N-Channel 900V, 11.4A, 300W Polaridade do transistor: N-Channel Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 900 V Vgs - Tensão de ruptura porta e fonte: 30 V Id - Corrente de drenagem contínua: 11.4 A Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 960 mOhms Configuração: Single Temperatura operacional máxima: + 150 C Pd - Dissipação de potência: 300 W Estilo de montagem: Through Hole Caixa / Gabinete: TO-3P-3 Tempo de queda: 90 ns Transcondutância em avanço - Mín: 12 S Temperatura operacional mínima: - 55 C Tempo de ascensão: 135 ns Série: FQA11N90 Quantidade do pacote de fábrica: 30 Tempo de retardo de desligamento típico: 165 ns Peso unitário: 5,600 mg