IRF7343PBF - MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8
MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8
Transistor, Polaridad: Canal N y P
Intensidad Drenador Continua Id: 4.7A
Tensión Drenaje-Fuente Vds: 55V
Resistencia de Activación Rds(on): 50mohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
Tensión Umbral Vgs: 1V
Disipación de Potencia Pd: 2W
Diseño de Transistor: SOIC
Núm. de Contactos: 8
Temperatura de Trabajo Máx.: 150°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC): No SVHC (16-Dec-2013)
Anchura Externa: 4.05mm
Corriente de Impulso Idm: 38A
Corriente de Impulso Idm Canal N 2: 38A
Corriente de Impulso Idm Canal P: 27A
Intensidad Cont Id Canal 2 N: 4.7A
Intensidad Cont Id Canal P: 3.4A
Intensidad Id Max: 4.7A
Intensidad Temperatura: 25°C
Longitud / Altura Externa: 1.75mm
Marcado SMD: F7343
Núm. de Transistores: 2
Paso de Fila: 6.3mm
Profundidad Externa: 5.2mm
Rango de Temperatura de Trabajo: -55°C a +150°C
Resistencia de Encendido Canal P Máx.: 105mohm
Resistencia en Encendido Canal N Máx.: 50mohm
Tensión Vds: 2V