MOSFET, N CH, 60V, 0.115A, SOT-23
Transistor, Polaridad: Canal N
Intensidad Drenador Continua Id: 500mA
Tensión Drenaje-Fuente Vds: 60V
Resistencia de Activación Rds(on): 7.5ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
Tensión Umbral Vgs: 1.85V
Disipación de Potencia Pd: 225mW
Diseño de Transistor: SOT-23
Núm. de Contactos: 3
Temperatura de Trabajo Máx.: 150°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): -
Intensidad Id Max: 115mA
Rango de Temperatura de Trabajo: -55°C a +150°C
Temperatura de Trabajo Mín.: -55°C
Tensión Vds Típ.: 60V
Tensión Vgs Máx.: 20V
Tensión, Medida de Vgs Rds on: 10V
Tipo de Empaquetado: Cinta Precortada
Tipo de Terminación: SMD
Tipo de Transistor: MOSFET de Potencia