MGSF2N02ELT1G - MOSFET, N, 20V, SOT-23

MOSFET, N, 20V, SOT-23 Transistor, Polaridad: Canal N Intensidad Drenador Continua Id: 2.8A Tensión Drenaje-Fuente Vds: 20V Resistencia de Activación Rds(on): 85mohm Tensión Vgs de Medición Rds(on): 4.5V Tensión Umbral Vgs: 1V Disipación de Potencia Pd: 1.25W Diseño de Transistor: SOT-23 Núm. de Contactos: 3 Temperatura de Trabajo Máx.: 150°C Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): MSL 1 - Ilimitado Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC): No SVHC (16-Dec-2013) Intensidad Id Max: 2.8A Rango de Temperatura de Trabajo: -55°C a +150°C Temperatura de Trabajo Mín.: -55°C Tensión Vds Típ.: 20V Tensión Vgs Máx.: 500mV Tensión, Medida de Vgs Rds on: 4.5V Tipo de Empaquetado: Cut Tape Tipo de Terminación: SMD