FQPF11N50 - MOSFET N, 500V, 11A, 36W, 0.38Ohm, TO220F

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FQPF11N50 - MOSFET N, 500V, 11A, 36W, 0.38Ohm, TO220F Type of control channel: N -Channel Maximum power dissipation (Pd), W: 36 Maximum drain-source voltage |Uds|, V: 500 Maximum gate-source voltage |Ugs|, V: 30 Maximum drain current |Id|, A: 11 Maximum junction temperature (Tj), °C: 150 Maximum drain-source on-state resistance (Rds), Ohm: 0.38 Package: TO220F
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FQPF11N50
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FQPF11N50 - MOSFET N, 500V, 11A, 36W, 0.38Ohm, TO220F


Type of control channel: N -Channel

Maximum power dissipation (Pd), W: 36

Maximum drain-source voltage |Uds|, V: 500

Maximum gate-source voltage |Ugs|, V: 30

Maximum drain current |Id|, A: 11

Maximum junction temperature (Tj), °C: 150

Maximum drain-source on-state resistance (Rds), Ohm: 0.38

Package: TO220F

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FQPF11N50
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