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Transistores IGBT 35 Amps 1000V - IXSN35N100U1
Transistores IGBT 35 Amps 1000V - IXSN35N100U1

Transistores IGBT 35 Amps 1000V

BUZ100 - Mosfet N, 50V, 60A, 250W, 0.018 Ohm, TO220
Transistor TO92
Configuração: Single Dual Emitter Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1000 V Tensão do emissor do gate máxima: +/- 20 V Temperatura operacional máxima: + 150 C Caixa / Gabinete: SOT-227B-4
49,20 €
Com IVA
Sem Stock
Disponível a partir de: 2015-07-27
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Referência:
IXSN35N100U1
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Descrição

Configuração: Single Dual Emitter
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1000 V
Tensão do emissor do gate máxima: +/- 20 V
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Caixa / Gabinete: SOT-227B-4

Dados do produto
IXSN35N100U1
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