IRFP4410ZPBF - MOSFET, N-CH, 100V, 97A, 230W, 0.009Ohm,TO252
Especificações
Atributo Valor
Tipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 97 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 100 V
Tipo de Encapsulado TO-247AC
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 9 mO
Modo de Canal Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima 4V
Tensión de umbral de puerta mínima 2V
Disipación de Potencia Máxima 230000 mW
Configuración de transistor Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip 1
Material del transistor Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs 83 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C
Longitud 15.87mm
Serie HEXFET
Ancho 5.31mm
Altura 20.7mm