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Type Designator: RJP30H1DPD Type of IGBT Channel: N-Channel Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|, V: 360V Collector-Emitter saturation Voltage |Vcesat|, V: 1.5V Maximum Collector Current |Ic|, A: 30A Rise Time, nS: 150 Package: TO252

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Disponível a partir de: 2019-02-01

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RJP30H1

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Type Designator: RJP30H1DPD

Type of IGBT Channel: N-Channel
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|, V: 360V
Collector-Emitter saturation Voltage |Vcesat|, V: 1.5V
Maximum Collector Current |Ic|, A: 30A
Rise Time, nS: 150
Package: TO252

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Referência RJP30H1

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