MDF11N60BTH - Mosfet N 660V, 11A, 49W, 0.55R, TO220F

MDF11N60BTH - Mosfet N 660V, 11A, 49W, 0.55R, TO220F

Detalhes do produto
MOSFET (HV) de alta tensión

MOSFET de canal N de alta tensión, con resistencia de encendido baja y alto rendimiento de conmutación.
Transistores MOSFET, MagnaChip
Especificações
Atributo Valor
Tipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 660 V
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 550 mO
Tensión de umbral de puerta máxima 5V
Tensión Máxima Puerta-Fuente -30 V, +30 V
Tipo de Encapsulado TO-220F
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines 3
Configuración de transistor Simple
Modo de Canal Mejora
Disipación de Potencia Máxima 49 W
Tiempo de Retardo de Encendido Típico 38 ns
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs 38,4 nC a 10 V
Altura 16.13mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
Longitud 10.71mm
Dimensiones 10.71 x 4.93 x 16.13mm
Material del transistor Si
Ancho 4.93mm
Tensión de diodo directa 1.4V
Transconductancia directa 13S
Número de Elementos por Chip 1
Tiempo de Retardo de Apagado Típico 76 ns
Capacitancia de Entrada Típica @Vds 1700 pF a 25 V