MMBT6520LT1G - Transistor Bipolar BJT, 500mA, 350 V, PNP

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MMBT6520LT1G - Transistor Bipolar BJT, 500mA, 350 V, PNP, SOT23-3 Manufacturer: ON Semiconductor Product Category: Transistors Bipolar - BJT RoHS: RoHS Compliant Details Configuration: Single Transistor Polarity:PNP Collector- Base Voltage VCBO: - 350 V Collector- Emitter Voltage VCEO Max: - 350 V Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V Collector-Emitter Saturation Voltage: - 1 V Maximum DC Collector Current: 0.5 A Gain Bandwidth Product fT: 200 MHz DC Collector/Base Gain hFE Min: 20 Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style:SMD/SMT Package/Case: SOT-23-3 Continuous Collector Current:- 0.5 A DC Current Gain hFE Max:200 Maximum Power Dissipation: 225 mW Minimum Operating Temperature: - 55 C

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Disponível a partir de: 2013-12-23

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MMBT6520LT1G - Transistor Bipolar BJT, 500mA, 350 V, PNP, SOT23-3

Manufacturer: ON Semiconductor
Product Category: Transistors Bipolar - BJT
RoHS: RoHS Compliant Details
Configuration: Single
Transistor Polarity:PNP
Collector- Base Voltage VCBO: - 350 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: - 350 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: - 1 V
Maximum DC Collector Current: 0.5 A
Gain Bandwidth Product fT: 200 MHz
DC Collector/Base Gain hFE Min: 20
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Mounting Style:SMD/SMT
Package/Case: SOT-23-3
Continuous Collector Current:- 0.5 A
DC Current Gain hFE Max:200
Maximum Power Dissipation: 225 mW
Minimum Operating Temperature: - 55 C

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