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MJE15029: 8.0 A, 120 V PNP Bipolar Power Transistor - MJE15029
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MJE15029: 8.0 A, 120 V PNP Bipolar Power Transistor

TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNELT
BD131 Transistor SI-N 70V 3A 15W >60MHz Tc=60°
DC Current Gain Specified to 4.0 Amperes hFE = 40 (Min) @ IC = 3.0 Adc hFE = 20 (Min) @ IC = 4.0 Adc • Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 120 Vdc (Min) MJE15028, MJE15029 VCEO(sus) = 150 Vdc (Min) - MJE15030, MJE15031 • High Current Gain - Bandwidth Product fT = 30 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc • TO-220AB Compact Package • Pb-Free Packages are Available
1,54 €
Com IVA
Sem Stock
Disponível a partir de: 2018-09-26
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Referência:
MJE15029
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Descrição

DC Current Gain Specified to 4.0 Amperes
hFE = 40 (Min) @ IC = 3.0 Adc
hFE = 20 (Min) @ IC = 4.0 Adc

• Collector-Emitter Sustaining Voltage -
VCEO(sus) = 120 Vdc (Min) MJE15028, MJE15029
VCEO(sus) = 150 Vdc (Min) - MJE15030, MJE15031

• High Current Gain - Bandwidth Product
fT = 30 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc

• TO-220AB Compact Package

• Pb-Free Packages are Available

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