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P0903BDG - Transistor, N, 20V, 35A, 30W, TO252 Type Designator: P0903BDG Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd), W: 49 Maximum Drain-Source Voltage |Vds|, V: 25 Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|, V: 20 Maximum Drain Current |Id|, A: 56 Maximum Junction Temperature (Tj), °C: 150 Rise Time (tr), nS: 25 Drain-Source Capacitance (Cd), pF: 300 Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds), Ohm: 0.0095 Package: TO252

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Disponível a partir de: 2017-05-30

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P0903BDG

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Descrição

P0903BDG - Transistor, N, 20V, 35A, 30W, TO252

Type Designator: P0903BDG
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd), W: 49
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|, V: 25
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|, V: 20
Maximum Drain Current |Id|, A: 56
Maximum Junction Temperature (Tj), °C: 150
Rise Time (tr), nS: 25
Drain-Source Capacitance (Cd), pF: 300
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds), Ohm: 0.0095
Package: TO252

Dados do produto

Referência P0903BDG

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